NASICON型化合物结构的NMR研究

在水热晶化合成一系列NASICON型化合物的基础上,应用固体高分辨³¹P和²⁹Si MAS NMR,研究了几种NASICON化合物的结构,观察其骨架原子P和Si在结构中的状态及分布,并解释了由于在结构中发生取代作用而引起,Si或P的化学位移的变化.     

金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜

利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向的ＬａＡｌＯ_３，ＳｒＴｉＯ_３和重掺杂硅单晶衬底上制备ＰｂＴｉＯ_３铁电薄膜，并通过Ｘ射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析．Ｘ射线θ－２θ扫描显示硅衬底上得到了ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜，另两种衬底上得到了择优取向的ＰｂＴｉＯ_３薄膜．ＬａＡｌＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜有ａ和ｃ两个取向，也就是薄膜中存在着９０°畴结构，而生长在ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜中只存在ｃ方向的择优取向．由于薄膜的尺度效应，发现ｃ轴晶格常数与块材相比均缩短．Ｘ射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性，利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质，进一步证明了ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜的单畴特性．利用重掺杂的硅衬底作底电极，测量显示直接生长于硅衬底上的ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜具有良好的铁电性能 关键词：     

NaNO3掺杂Y2O3材料的制备及电流变性质

利用NaCO3和Y（NO3）3做主要原料，合成了一系列用稀土氧化物（Y2O3）作为基础材料的新型电流变材料——NaNO3掺杂Y2O3材料。对于这些材料的介电性质、微观结构和电流变性能的研究结果表明，NaNO3的掺杂可以明显地提高Y2O3材料的电流变活性。材料在二甲基硅油中的悬浮液的剪切应力随NaNO3在Y2O3中的掺杂程度有明显变化，当Na／Y（物质的量的比）为0．6时材料的电流变性能最好，     

Synthesis of Dimethyl Carbonate from CO2 , Methanol, and Epoxides Using Re（CO） 5 Cl/K2 CO3 as Catalyst System

IntroductionOver the past few years, dimethyl carbonate(DMC) has been proven to be an efficientmethylating,methoxylating, and methoxycarbonylating agent inorganic syntheses, in which DMC is used to replace thetoxic methyl halides, dimethyl sulfate or carb     

Sansalvamide A固相合成新方法

报道了Pd催化丁基二乙基硅烷树脂与N-Boc-4-溴代苯丙氨酸甲酯直接反应形成Si—Ar键一步构建出硅基连接分子的新方法, 并采用Boc策略增长肽链, 以PyBOP (benzotriazole-1-yl-oxy-tris-pyrrolidino-phosphonium hexafluoro- phosphate)为环合剂固相合成了sansalvamide A.     

聚二甲基二烯丙基氯化铵的合成,表征及抗菌性能

65％的二甲基二烯丙基氯化铵（DADMAC）单体水溶液通过自由基聚合得到分子量约为5000的聚二甲基二烯丙基氯化铵（PDADMAC）均聚物。用红外光谱，核磁共振，X射线衍射仪，粘度法和扫描电镜对PDADMAC进行结构分析和表征。合成聚合物的抗霉菌实验表明，PDADMAC对多种霉菌有抑制作用，具有较宽的抑菌谱；抗细菌实验表明，PDADMAC对金黄色葡萄球菌，大肠杆菌，枯草芽孢杆菌具有不同程度的抑制作用。     

La1-xNdxSrCoO4催化剂的合成及其催化性能

采用聚丙烯胺溶胶-凝胶法制备了类钙钛矿La1-xNDxSrCoO4(x=0.1～0.9)复合氧化物催化剂,考察了其对CO和C3H8的催化氧化活性,并运用XRD、IR和TPR等手段对催化剂进行了表征.结果表明,所制备的样品均具有K2NiF4型结构,适量Nd2O3的加入增加了LaSrCoO4的催化活性,使LaSrCoO4催化剂粒度变小、晶格畸变率变大及与氧的结合能力减弱,从而有利于CO和C3H8氧化活性的提高.     

毛细管电色谱中进样时间对柱效的影响

毛细管电色谱是近年发展起来的一种新型微分离技术，它结合了高效液相色谱和毛细管电泳的物点，具有高效、快速，高选择性，其有关理论研究和应用越来越深入，本文从色谱动力学角度讨论了毛细管电色谱中进样时间对柱的影响。     

三缺位杂多阴离子PW_9(O_(34))~(9-) 的二苯基硅衍生物的合成和表征

以Na8 H[PW9O3 4 ]·nH2 O与Ph2 SiCl2 为原料于乙腈中合成了三缺位杂多阴离子的二苯基硅衍生物(TBA)3[α-A -PW9O3 4 (Ph2 Si)3 ](TBA为四丁基铵盐的缩写)(记为I),并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征,结果表明,二苯基硅通过六个Si-O -W桥键填充到三缺位杂多阴离子的骨架上,形成了开环的饱和笼形结构.热分析结果表明,该化合物的热分解温度在 4 95.2℃左右